All-metal electrodes vertical gate-all-around devicewith self-catalyzed selective grown InAs NWs array

• 作者: Qing CHEN[1] Tao YANG[2,3] Tong LI[1] Wenyuan YANG[1] Xianghai JI[2,3] Yuxiang HAN[1]
• 来源期刊: 中国科学
• 学科: 工学
• 关键词: InAs nanowire vertical gate-all-around field effect transistor fabrication properties
• 年，卷（期）: zgkx_2018,（6）
• 页码范围: 195-204
• 页数: 10页
• 分类号: TP2
• 语种: 中文