篇名 | All-metal electrodes vertical gate-all-around devicewith self-catalyzed selective grown InAs NWs array | ||
来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
关键词 | InAs nanowire vertical gate-all-around field effect transistor fabrication properties | ||
年,卷(期) | zgkx_2018,(6) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 195-204 | |
页数 | 10页 | 分类号 | TP2 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |