应力调控TiS3单层材料电子性质的第一性原理研究

• 作者: 周少雄 帮少 李京波 陈卉
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: TiS3 二维材料 应力调控 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 10065-10070
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 2723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.10.011

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了应力对TiS3单层材料电子性质的影响.研究发现,TiS3单层材料是直接带隙半导体,带隙1.06 eV,符合实验值.TiS3在a方向上更容易产生形变,在不同方向应力作用下,带隙、价带顶和导带底都会随应力变化而不断变化.其中,当b方向压应力增加到6％时,TiS3由直接带隙转变为间接带隙.分析载流子有效质量得到,在任何方向拉应力作用下,载流子有效质量对应力相应不敏感.在b单轴方向和双轴方向压应力作用下,载流子有效质量表现出强烈的各向异性.这一研究对深入理解应力调控TiS3的电子结构意义深远.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周少雄		22	57	4.0	7.0
2	李京波	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	4	4	1.0	2.0
3	陈卉		1	0	0.0	0.0
7	帮少		1	0	0.0	0.0