平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控

• 作者: 付超 吴志国
• 来源期刊: 中国科技投资
• 关键词: 平板式外延炉大尺寸 硅外延层 均匀调控
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 机械与工艺
• 页码范围: 249
• 页数: 1页
• 字数: 2065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5811.2018.02.233

摘要

在现代半导体制造工艺体系之中,外延工艺是一种应用范围极广的工艺,硅片的最底层一般为衬底硅,衬底部位的物质生长之后,会形成一种新型单晶硅,技术人员将其称为外延层,根据制造工艺的需求,技术人员还会将发射区以及基区添加到外延层部位.本文借助实验来对实现均匀调控外延层的方法案进行分析,实验对象主要是平板式的新型外延炉.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志国		2	0	0.0	0.0
2	付超		2	0	0.0	0.0