铟(In)掺杂CdTe与CdTe0.9Se0.1晶体生长及性能表征

• 作者: 李涛
• 来源期刊: 云南化工
• 学科: 工学
• 关键词: CdTe CdTe0.9Se0.1 垂直布里奇曼法 In掺杂
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 分析测试
• 页码范围: 142-143
• 页数: 2页
• 分类号: TN36
• 字数: 1488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-275X.2018.10.059

摘要

通过垂直布里奇曼法在富Te环境下生长铟(In)掺杂的CdTe与CdTe0.9Se0.1晶体,CdTe晶体的电阻率达到了108Ω·cm,而CdTe0.9Se0.1的为107Ω·cm.分析CdTe0.9Se0.1晶体红外透过率为64％很接近理论的65％,而CdTe晶体仅为50％.在光致发光谱(PL)中,对比发现CdTe晶体有清晰的FE峰,以及较窄的半峰宽,说明CdTe晶体质量较高,但是在CdTe0.9Se0.1晶体中DAP峰较高,说明Cd空位较多,可能是由于较大的生长速率导致的.又通过紫外可见近红外光谱得到CdTe0.9Se0.1晶体的禁带宽度为1.401,而CdTe为1.450 eV,可能是由于原子轨道杂化导致价带偏移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李涛	西安工业大学材料与化工学院	6	38	2.0	6.0