In2O3的制备方法及其气敏性能研究进展

• 作者: 于梦贤 刘煜 张蕾 惠晓雨 梁士明 梁茂 王常春 纪文会 薛光宇 马登学
• 来源期刊: 山东化工
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟 制备方法 乙醇 气体传感器
• 年，卷（期）: 2018,（23）
• 所属期刊栏目: 专论与综述
• 页码范围: 80-81
• 页数: 2页
• 分类号: TQ133.5
• 字数: 2165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-021X.2018.23.029

摘要

氧化铟是一种常见的n型半导体材料.本文简要介绍了氧化铟的典型制备方法,总结概括了In2O3对乙醇、NO2和氢气的气敏性能,并展望了其发展方向.