单斜结构氧化钨电子性质的第一性原理研究

• 作者: 孙霄霄
• 来源期刊: 科学技术创新
• 关键词: 第一性原理 WO3 电子性质
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 科技创新
• 页码范围: 24-25
• 页数: 2页
• 字数: 506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1328.2018.04.010

摘要

利用第一性原理计算方法研究了单斜结构氧化钨的电子性质,计算表明,单斜结构氧化钨是窄带隙的间接带隙半导体,零压下的带隙为1.36 eV.W-O化学键是共价键和离子键的混合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙霄霄	牡丹江师范学院物理与电子工程学院	16	13	2.0	3.0