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摘要:
硅基微环腔的结构参数、半导体特性和工艺形貌会对相关光子对输出重复频率产生重要影响.将晶体硅非线性损耗计入输出重复频率的仿真计算,推导出全通型硅基微环腔自发四波混频效应模型,并利用该模型研究了全通型硅基微环腔品质因数、微环腔半径、晶体硅自由载流子寿命等参数对输出重复频率的影响.结果 表明,当外品质因数取值5×104,抽运功率达到15 mW且继续升高时,输出重复频率反而降低;理想情况下微环腔半径越小,输出重复频率越高;对硅基微环腔相关光子对光源而言,提高输出重复频率的首选方案是降低自由载流子寿命.
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文献信息
篇名 硅基微环腔相关光子对光源输出特性研究
来源期刊 量子电子学报 学科 物理学
关键词 微纳光学 硅基微环腔 自发四波混频效应 相关光子对光源 品质因数
年,卷(期) 2019,(6) 所属期刊栏目 量子光学
研究方向 页码范围 732-737
页数 6页 分类号 O437.4
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2019.06.015
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1984
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