篇名 | Recent progress in devices and circuits based on wafer-scale transition metal dichalcogenides | ||
来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
关键词 | two-dimensional layered materials transition metal dichalcogenides field effect transistors wafer-scale | ||
年,卷(期) | zgkx_2019,(12) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 45-63 | |
页数 | 19页 | 分类号 | TB3 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |