硅半球深腔结构无损检测技术

• 作者: 丁景兵 吴梦茹 庄须叶 曹卫达
• 来源期刊: 导航与控制
• 学科: 工学
• 关键词: 硅半球深腔 半球陀螺 无损检测 聚二甲基硅氧烷 铸模
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 测试与可靠性
• 页码范围: 89-95
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.7|V448.2
• 字数: 2757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-5558.2019.02.014

摘要

半球深腔的加工质量是决定硅基MEMS半球陀螺精度的关键因素之一,及时检测半球深腔的形貌参数并将其反馈至加工过程,是确保高性能MEMS半球陀螺研制成功的重要措施.由于硅半球深腔的深度较大,台阶仪和光学显微成像系统无法对半球深腔的形貌特征进行有效测量.因此,需要将硅深腔结构剖开后采用扫描电镜(SEM)进行检测.这种检测方式时间周期长,且属于破坏性的样本检测,效率和测试精度都较低.提出以硅半球深腔为模具,利用P DMS铸模将硅半球深腔的结构尺寸和表面形貌转移到P DMS凸起的半球模型上,通过检测P DMS半球模型的尺寸结构和表面形貌,即可反推出硅半球深腔的尺寸特征.经实验验证,脱模后的P DMS模型可以准确地反映出半球深腔的尺寸信息,测量结果的不确定度小于5‰,有效解决了硅半球深腔无损检测的难题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄须叶		5	19	2.0	4.0
2	曹卫达		2	0	0.0	0.0
3	丁景兵		2	0	0.0	0.0
4	吴梦茹		1	0	0.0	0.0