基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真

• 作者: 孙艳 戴宁 林虹宇 王洋 胡淑红 谢浩 陆宏波 陈鑫
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 探测器 暗电流 阻挡层 能带图
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 探测器
• 页码范围: 42-48
• 页数: 7页
• 分类号: O475
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201939.0504002

摘要

在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流.采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP四元合金通过n型或p型掺杂,其能带结构能够实现价带能级的下凹或导带能级的上凸,起到阻挡空穴或电子的作用.通过理论分析和仿真计算,确定了满足阻挡层要求的InAsSbP组分.对于nBip型和pBin型红外探测器,仿真得到了阻挡层的最优厚度和最优掺杂浓度(粒子数浓度),并分析了其偏离最优值时对器件暗电流的影响.对于nBip型探测器,当阻挡层厚度为40 nm、掺杂浓度为2×1018 cm-3时,器件开关比最大;对于pBin型探测器,当阻挡层厚度为60 nm、掺杂浓度为4×1017 cm-3时,器件的开关比最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洋	中国科学院上海技术物理研究所	256	5097	36.0	57.0
2	戴宁	中国科学院上海技术物理研究所	55	315	11.0	15.0
3	孙艳	中国科学院上海技术物理研究所	47	652	12.0	25.0
4	陈鑫	中国科学院上海技术物理研究所	26	42	4.0	5.0
5	谢浩	中国科学院上海技术物理研究所	9	59	4.0	7.0
6	胡淑红	中国科学院上海技术物理研究所	10	49	4.0	7.0
7	陆宏波	中国科学院上海技术物理研究所	2	0	0.0	0.0
8	林虹宇	中国科学院上海技术物理研究所	1	0	0.0	0.0