硅-玻璃-硅阳极键合机理及力学性能

• 作者: 孟庆森 时方荣 胡利方 陈大明
• 来源期刊: 焊接学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阳极键合 硅-玻璃-硅 电子封装 键合强度
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 123-127
• 页数: 5页
• 分类号: TG456.9
• 字数: 2763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12073/j.hjxb.2019400054

摘要

采用两步法阳极键合技术成功实现了硅-玻璃-硅的连接.两次键合过程中,电流特征有明显差异,第一次键合电流先迅速增大到峰值电流,然后迅速衰减至一较小值.受先形成Na+离子耗尽层的影响,第二次键合电流从峰值电流衰减的过程中,出现二次增大然后衰减的现象.利用扫描电镜对键合界面进行观察,结果表明玻璃两侧界面均键合良好,玻璃表面可观察到大量析出物.利用万能材料试验机对键合强度进行测试,结果表明,界面强度随着键合电压的升高而增大.断裂主要发生在玻璃基体内部靠近第二次键合界面一侧.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟庆森	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	92	422	11.0	16.0
2	胡利方	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	18	54	4.0	7.0
6	时方荣	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
7	陈大明	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0