基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化

• 作者: 蒋毅 陈俊
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAlAsSb 雪崩光电二极管 异质结倍增层 击穿电压 穿通电压
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 598-603
• 页数: 6页
• 分类号: TN215|TN362
• 字数: 4245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.05.009

摘要

使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊	苏州大学电子信息学院	27	154	7.0	11.0
2	蒋毅	苏州大学电子信息学院	1	1	1.0	1.0