电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化

• 作者: 刘春艳 李媛
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 阈值电压 栅氧化层厚度 掺杂浓度 导电沟道宽长比 瞬态特性
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2019.02.007

摘要

反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道.基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响.仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器输出电平的优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春艳	渤海大学新能源学院	2	0	0.0	0.0
2	李媛	渤海大学新能源学院	32	47	4.0	6.0