Zr掺杂对CeO2(111)表面空位形成及电子结构的影响

• 作者: 吴锦绣 李梅 贾慧灵 邹春阳
• 来源期刊: 内蒙古科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Zr掺杂 氧空位 电子结构 态密度
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 113-116
• 页数: 4页
• 分类号: O411.2
• 字数: 2144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16559/j.cnki.2095-2295.2019.02.003

摘要

利用VASP软件,采用第一性原理的DFT+U方法计算了Zr掺杂前后CeO2(111)表面结构、氧空位形成能以及电子结构的变化.研究表明:Zr掺杂中心附近,表层Ce,O原子发生较大弛豫,Zr的掺杂明显降低了CeO2(111)表面的氧空位形成能,表明对其态密度无明显的影响.Zr掺杂前后的还原体系态密度图均在靠近费密能级左侧出现1个间隙态,表明有Ce4+被还原为Ce3+.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李梅	内蒙古科技大学材料与冶金学院	96	640	14.0	21.0
2	吴锦绣	内蒙古科技大学材料与冶金学院	20	126	6.0	11.0
3	贾慧灵	内蒙古科技大学机械工程学院	27	54	4.0	6.0
4	邹春阳	内蒙古科技大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0