电极/表面接触与SrTiO3陶瓷片介电性能的关系

• 作者: 何创创 加晶晶 庞锦标 杨昌平 石大为 董浩 黄秋安
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SrTiO3 晶界层电容 介电性能 电极/半导体界面接触 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 陶瓷材料介电性能研究专栏
• 页码范围: 132-136
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 4259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2019.02.004

摘要

理论上, SrTiO3 (以下简称STO) 晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现, 金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明, 当电极/STO为非欧姆接触时, STO陶瓷片的电容和介电常数较小;当电极/STO为欧姆接触时, STO陶瓷片电容器的电容和介电常数增大.采用Ag浆制作电极时, 通过调整烧制Ag电极的温度和时间, 当T=880℃, t=3. 5 h时, STO电容器的介电性能达到最佳, εr=22 850, tgδ=1. 0％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨昌平	湖北大学物理与电子科学学院	35	80	6.0	8.0
2	黄秋安	湖北大学物理与电子科学学院	12	22	2.0	4.0
3	庞锦标		3	1	1.0	1.0
4	董浩	湖北大学物理与电子科学学院	2	0	0.0	0.0
5	石大为	湖北大学物理与电子科学学院	6	1	1.0	1.0
6	何创创		2	0	0.0	0.0
7	加晶晶	湖北大学物理与电子科学学院	1	0	0.0	0.0