一种提高WPE在仿真中准确性的方法

• 作者: 杜浪 黄其煜
• 来源期刊: 集成电路应用
• 关键词: 集成电路设计 阱临近效应 版图依赖效应 MOSFET
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 字数: 3133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.05.006

摘要

根据实际芯片设计中阱临近效应的应用,详细解析了先进工艺下的阱临近效应的机理,分析了由于受到EDA工具限制在设计初期阶前仿真结果可能出现误差的原因.通过研究阱临近效应的数学模型,推导出一种优化的算法,提出了一种新的方法用以减小仿真中的误差,并得到了仿真结果验证.在测试电路中,误差从最大7％ 减小到了0.01％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄其煜	上海交通大学电子信息与电气工程学院	37	221	7.0	14.0
2	杜浪	上海交通大学电子信息与电气工程学院	1	0	0.0	0.0