化学气相沉积法制备单层二硫化钼的研究进展

• 作者: 武子茂
• 来源期刊: 甘肃科技纵横
• 学科: 工学
• 关键词: 单层二硫化钼 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 工业科技
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TQ136.12
• 字数: 2033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6375.2019.09.010

摘要

单层二硫化钼(MoS2)是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,因其优异的物理化学特性广泛应用于纳米电子器件、传感器、能源、生物医药等多个领域,成为二维材料研究的新热点,但是高质量、产业化制备单层MoS2还面临着很大的困难.本文主要综述了化学气相沉积(CVD)制备单层MoS2薄膜的方法,讨论了该方法在国内外的研究现状及其优缺点,最后展望了制备单层MoS2的发展前景,认为应该朝着可控、低成本、大规模制备单层MoS2的方向改进工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武子茂	兰州工业学院材料工程学院	1	0	0.0	0.0