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摘要:
2019年3月19日,推动高能效创新的安森美半导体Semiconductor,推出了两款新的碳化硅MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。
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SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用
SiC MOSFET
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文献信息
篇名 安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET补足成长的生态系统并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 MOSFET SIC MOSFET 宽禁带 安森美半导体
年,卷(期) bdtxx,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 6-7
页数 2页 分类号 TN386
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研究主题发展历程
节点文献
MOSFET
SIC
MOSFET
宽禁带
安森美半导体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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