宽禁带功率半导体器件技术

• 作者: 张波 李肇基 邓小川 陈万军
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 功率器件 碳化硅 宽禁带半导体
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 618-623
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.018

摘要

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表.与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料.该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管.同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	邓小川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	11	258	5.0	11.0
3	陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	128	4.0	11.0
4	李肇基	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0