In组分变化对GaN基材料光学性质影响第一性原理研究

• 作者: 代广珍 刘宇航 刘鑫 姜永召 韩名君
• 来源期刊: 牡丹江师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN基材料 第一性原理 光学特性
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 物理与电子工程
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 2688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6180.2019.03.008

摘要

研究组分变化中InxGa1-xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1-xN材料In组分含量,获得计算模型.计算结果表明,随着In组分的增加,价带结构发生改变,从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及能量损失系数均发生变化;In组分为0.5时,能量损失峰值最小,有利于提升紫外光的出光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩名君	安徽工程大学电气工程学院	4	11	1.0	3.0
2	代广珍	安徽工程大学电气工程学院	16	21	2.0	3.0
3	姜永召	安徽工程大学电气工程学院	3	0	0.0	0.0
4	刘鑫	安徽工程大学电气工程学院	2	0	0.0	0.0
5	刘宇航	安徽工程大学电气工程学院	1	0	0.0	0.0