IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀

• 作者: 吴旭 孙耒来 王思江 王恺 王骏 田茂坤 董晓楠 袁剑峰 谌伟 赵永亮 闵泰烨 黄中浩
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化物TFT 三元复合结构 钝化层 过孔刻蚀
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 564-569
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3556字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193406.0564

摘要

IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20％过孔相关不良.本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究.当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反应;随着CF4/O2比例增加,刻蚀速率先增大后趋于稳定,并且当CF4/O2=15/8时,刻蚀速率和均一性达到最优;与源功率相比,提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用,同时均一性控制在15％以内;当压力在4 Pa以内时,刻蚀速率随着压力的降低而增加.据此分析,对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蚀过程进行优化,得到了形貌规整、无残留物的过孔,过孔相关不良得到100％改善.