阳极氧化制备硅基氧化铝薄膜MIM电容器

• 作者: 吕雁慧 李刚 李廷鱼 郭丽芳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3薄膜 阳极氧化 硅(Si) 金属-介质-金属(MIM)电容器 储能电容
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 493-498,504
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.21|TM53
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.06.012

摘要

提出了一种在常温下通过简单的恒电流阳极氧化制备Al2O3薄膜构建金属-介质-金属(MIM)结构电容器的方法,通过控制阳极氧化时间制备出不同厚度Al2O3薄膜,避免了高成本且复杂的制备工艺.首先探究了不同Al2O3薄膜厚度对MIM电容器的电容特性的影响,发现厚度为25.1 nm的Al2O3薄膜层构成的电容器性能最佳.它的能量密度值最大,为3.55 J/cm3;其电容密度较大,可达到5.05 fF/μm2;其漏电流性能好,在0.8 V时漏电流密度仅为9.36 nA/cm2.此外,对该电容器电容变化率与施加电压时间的关系也进行了研究,当施加电压为2V时,可预测工作十年后的电容变化率仅为1.82％.因此,通过阳极氧化制备介质层构建硅基MIM结构为制备低成本、可集成的储能电容器提供了一种新方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭丽芳	太原理工大学信息与计算机学院微纳系统研究中心	55	387	13.0	17.0
2	李刚	太原理工大学信息与计算机学院微纳系统研究中心	87	823	14.0	27.0
3	李廷鱼	太原理工大学信息与计算机学院微纳系统研究中心	12	4	1.0	2.0
4	吕雁慧	太原理工大学信息与计算机学院微纳系统研究中心	1	0	0.0	0.0