基于氩等离子处理的阻变氧空位调控探讨

• 作者: 任高潮 徐文彬
• 来源期刊: 集美大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧空位 等离子 阻变 ZnO 无电形成
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 数理科学与信息工程
• 页码范围: 387-392
• 页数: 6页
• 分类号: TN604
• 字数: 4317字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19715/j.jmuzr.2019.05.11

摘要

以氩气等离子处理为优化工艺,通过其对ZnO阻变薄膜中氧空位缺陷的影响,来改进ZnO薄膜阻变特性.等离子处理范围减小和处理时间延长有助于阻变特性的稳定,以及阻变工作电压的降低.为了降低阻变工作电压及抑制随机性,最终确定的等离子处理条件是时间不超过45 min,处理范围介于0.8 mm×0.8 mm和0.9 mm×0.9 mm之间.主要的阻变工作电压均在3 V以下,适合低功耗器件应用.并结合处理条件和表面粗糙度等测试结果进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐文彬	集美大学信息工程学院	10	21	3.0	4.0
2	任高潮	浙江大学信电系	13	64	5.0	8.0