原文服务方: 电子产品可靠性与环境试验       
摘要:
准确地测试GaAs或GaN基功率放大芯片的沟道温度对于此类器件的热设计、性能评价和可靠性评价具有极其重要的意义.选取了一款GaAs基功率放大叠芯片为研究对象,在不同的工作条件下采用连续、高速探头测试其沟道温度,并分析对比了不同测试方法下的测试结果.研究结果可为功率放大芯片在热分析和热阻测试时测试方法的选择提供参考.
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关键词热度
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文献信息
篇名 功率放大芯片红外热分析探讨
来源期刊 电子产品可靠性与环境试验 学科
关键词 红外热分析 功率放大芯片 热阻
年,卷(期) 2019,(5) 所属期刊栏目 计量与测试技术
研究方向 页码范围 63-67
页数 5页 分类号 TN722.7+5|TN219
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-5468.2019.05.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈勇帆 2 1 1.0 1.0
2 唐莎 4 8 1.0 2.0
3 王之哲 13 6 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
红外热分析
功率放大芯片
热阻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
双月刊
1672-5468
44-1412/TN
大16开
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
1962-01-01
中文
出版文献量(篇)
2803
总下载数(次)
0
总被引数(次)
9369
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