一种用于SKA的SiGe宽带低噪声放大器

• 作者: 庞东伟 曹锐 桑磊 陈涛
• 来源期刊: 合肥工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 超低噪声 SiGe工艺 低噪声放大器 平方公里阵列(SKA)
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 电子科学与工程
• 页码范围: 211-214,236
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.33
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5060.2019.02.013

摘要

文章设计了一款用于平方公里阵列(Square Kilometer Array,SKA)接收前端的异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器.放大器的第1级在反馈电感的基础上采用电容负载,利用晶体管寄生电容拓展带宽;第2级利用发射极跟随放大器实现宽带内稳定的输出阻抗.采用HHNEC180 nm SiGe工艺对电路进行仿真,版图仿真结果表明,在0.5～1.5GHz内,噪声系数低于1.16 dB,最小噪声系数为0.76 dB,S21大于15 dB.整个电路尺寸为1.1 mm×0.98 mm(含焊盘),在3.3V供电电压下,功耗为34 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹锐	中国电子科技集团公司第三十八研究所	17	51	3.0	6.0
2	桑磊	合肥工业大学光电技术研究院	10	16	2.0	3.0
3	陈涛	合肥工业大学光电技术研究院	24	191	6.0	13.0
4	庞东伟	合肥工业大学光电技术研究院	3	2	1.0	1.0