新型CMOS温度传感器的设计

• 作者: 吕英杰 王焱 谭康 陈力颖
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: 温度传感器 UMC0.18μm1P6M工艺 偏置电压 米勒补偿 线性度 精度
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 传感器技术
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 2382字
• 语种: 中文

摘要

文中设计的温度传感器芯片采用UMC 0.18μm 1P6M工艺,基于PTAT电流源的两个双极性晶体管的基极与发射结之间电压的温度特性,利用输出端处理电路进一步提高精度.针对增益不足采用偏置电路,针对相位失调采用米勒补偿结构,针对人体温度范围所需精度要求采用输出端缓冲再放大结构.芯片工作电压为1.8 V,电源抑制比为-82 dB,直流功耗72μW,可测范围-40～125℃,体温范围以内精度更高,输出电压步长2.65 mV/℃,输出精度为0.01℃.流片之后进行了系统测试,测试结果表明,输出电压与温度具有非常高的线性度,并且在体温范围内具有极高的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈力颖	天津工业大学电子与信息工程学院	18	24	3.0	3.0
5	谭康	天津工业大学电子与信息工程学院	2	3	1.0	1.0
9	王焱	天津工业大学电子与信息工程学院	1	1	1.0	1.0
13	吕英杰		1	1	1.0	1.0