基于非晶氧化物TFTs的反相器设计

• 作者: 姚若河 蔡杨力
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 反相器 动态负载 低功耗 输出摆幅
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN451
• 语种: 中文
• DOI: 10.13245/j.hust.190602

摘要

针对单极型非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)逻辑电路存在较大功耗等问题,提出一个采用动态负载的三级架构反相器.该反相器基于Pseudo-CMOS(伪互补金属氧化物半导体)拓扑结构,采用由输出信号驱动的动态负载替代Pseudo-CMOS反相器中的二极管连接负载,使输入级的输入管与负载管驱动信号互补,实现反相器零静态电流,并弱化了功耗与摆幅的制约关系.基于TFT的电流公式,讨论了反相器中晶体管的宽长比对输出摆幅和功耗的影响,通过优化晶体管的宽长比进一步提高输出摆幅,降低电路功耗.在Silvaco软件中仿真验证结果表明:在相同的工艺条件下,与Pseudo-CMOS反相器相比,采用动态负载的三级架构反相器输出摆幅提高了13.13％,并显著降低了静态电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学电子与信息学院	126	611	11.0	18.0
2	蔡杨力	华南理工大学电子与信息学院	1	1	1.0	1.0