篇名 | Total ionizing dose effects on graphene-based charge-trapping memory | ||
来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 物理学 |
关键词 | graphene non-volatile memories radiation trap-assisted tunneling leakage current | ||
年,卷(期) | zgkx_2019,(12) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 191-198 | |
页数 | 8页 | 分类号 | O48 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |