点缺陷对Al0.5 Ga0.5 N纳米片的电子性质和光学性质影响:第一性原理研究

• 作者: 刘玉怀 屈艺谱 王芳 陈雪
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Al0.5Ga0.5N纳米片 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 979-986
• 页数: 8页
• 分类号: O471.5|O472+.3|O472+.4
• 字数: 3712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194008.0979

摘要

为了研究点缺陷对Al0.5 Ga0.5 N纳米片电子结构和光学性质的影响,建立了Al、Ga、N空位和N取代Al、N取代Ga的经典点缺陷结构.基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势的方法和GGA-PBE交换互联函数计算了能带、态密度、复介电函数、复折射率、吸收谱和能量损失谱等信息.结果表明,空位缺陷和替代缺陷会导致带隙变窄,其中Al空位和Ga空位均使费米能级进入价带,N空位使纳米片显n型性质;替代缺陷会使纳米片显示半金属性质.在光学性质上,缺陷导致纳米片复介电函数虚部低能区出现峰值,说明有电子跃迁的出现.同时空位缺陷导致吸收光谱在低能区有扩展,可见光范围也包含在内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王芳	郑州大学信息工程学院产业技术研究院	385	1344	14.0	22.0
2	陈雪	郑州大学信息工程学院产业技术研究院	11	12	2.0	3.0
3	刘玉怀	郑州大学信息工程学院产业技术研究院	5	3	1.0	1.0
4	屈艺谱	郑州大学信息工程学院产业技术研究院	2	0	0.0	0.0