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摘要:
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离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较
半导体探测器
温度特性
离子注入型
金硅面垒型
测量反应堆快中子注量率的电流型宽禁带半导体探测器设计
中子
γ混合场
反冲质子法
宽禁带半导体
快中子注量率
补偿电流并联结构
超声波剥离法制备六方氮化硼纳米片
六方氮化硼
改性
超声波降解
六方氮化硼原子层薄膜的制备研究
六方氮化硼
氢气流量
前驱物温度
低压化学气相沉积
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 氮化硼半导体中子探测器制备及测试
来源期刊 中国原子能科学研究院年报 学科 工学
关键词 中子探测器 氮化硼 半导体性质 半导体材料 光电子器件 晶体结构 间接带隙 探测效率
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 149-150
页数 2页 分类号 TL816.3
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何高魁 中国原子能科学研究院核技术应用研究所 13 24 4.0 4.0
2 赵江滨 中国原子能科学研究院核技术应用研究所 3 4 1.0 2.0
3 田华阳 中国原子能科学研究院核技术应用研究所 4 7 2.0 2.0
4 王超 中国原子能科学研究院核技术应用研究所 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
中子探测器
氮化硼
半导体性质
半导体材料
光电子器件
晶体结构
间接带隙
探测效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国原子能科学研究院年报
年刊
大16开
北京275信箱65分箱
1978
chi
出版文献量(篇)
6253
总下载数(次)
51
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1305
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