不同ATO掺量对SiO2/ATO-SiO2疏水型抗静电增透膜性能的影响

• 作者: 何峰 刘锡宇 张博文 张树岩 张鸣奇 施江 陈七
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溶胶-凝胶法 增透膜 疏水性 抗静电
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 2391-2396
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4469字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶法分别制备SiO2增透溶胶与疏水型抗静电薄膜溶胶.将锑掺杂氧化锡(ATO)掺入硅溶胶,并利用六甲基二硅氮烷(HMDS)对溶胶进行疏水改性.采用提拉镀膜法在玻璃表面首先制备了一层SiO2增透膜,然后在SiO2增透膜表面制备了一层具有疏水与抗静电性能的薄膜.结果表明:当ATO掺量在10％ ～20％时,双层薄膜具有比单层SiO2增透膜更高的透过率,在可见光范围内,平均透过率最高可达93％,峰值透过率为94.6％;薄膜与水的接触角最高可达到95.7°;薄膜表面电阻在106Ω/□以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何峰	武汉理工大学材料科学与工程学院	162	1097	18.0	24.0
5	刘锡宇	武汉理工大学材料科学与工程学院	6	2	1.0	1.0
6	陈七	武汉理工大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0
7	张树岩	武汉理工大学材料科学与工程学院	4	2	1.0	1.0
8	张博文	武汉理工大学材料科学与工程学院	4	0	0.0	0.0
9	张鸣奇	武汉理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0