溶胶–凝胶法制备ATO-SiO2抗静电复合薄膜的特性研究

• 作者: 冯博 吴春春 杨辉 陆文伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 抗静电 薄膜 溶胶–凝胶 掺锑氧化锡
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: HIC技术
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN04
• 字数: 3238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.07.008

摘要

采用两步溶胶–凝胶法制备出ATO(掺锑氧化锡)-SiO2复合抗静电薄膜.通过DTA-TG、XRD、SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密.薄膜中SiO2为无定形结构,ATO的衍射峰与SnO2一致.研究了SnO2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随SnO2含量增加γ(SnO2/ SiO2)从5至12.5,薄膜的表面电阻降低(从1010Ω/□降低到108Ω/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从89.0%降至84.2%),结合三方面性能,得出最佳SnO2的配比为:γ(SnO2/ SiO2)=10.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	浙江大学材料系	356	3707	28.0	43.0
2	吴春春	浙江大学材料系	25	131	7.0	10.0
3	冯博	浙江大学材料系	2	9	2.0	2.0