阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺

• 作者: 任芳 伊晓燕 刘志强 李晋闽 梁萌 王军喜 王江华 田婷 袁国栋
• 来源期刊: 照明工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LED 芯片隔离 ICP深刻蚀 激光划槽
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体照明技术与应用
• 页码范围: 81-85,95
• 页数: 6页
• 分类号: O436
• 字数: 2759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-440X.2019.03.014

摘要

阵列式高压交/直流发光二极管(LED)在芯片制作过程中通过多个LED微晶粒的串并联来实现交流高压供电,属于高电压小电流的工作状态,与传统LED相比在电流扩展、封装及驱动电路设计等诸多方面有更大的优势.本文主要研究了阵列式高压交直流LED器件制备过程中的芯片隔离工艺,并对感应耦合等离子体(ICP)深刻蚀隔离以及激光划槽两种芯片隔离方法进行了对比.通过扫描电子显微镜(SEM)表征刻蚀形貌以及最终器件的伏安特性和光输出功率表明ICP深刻蚀隔离具有更高的灵活性且可以形成陡直的隔离侧壁,且可以实现较深的刻蚀深度,更有助于制备光电性能优良的阵列式高压交/直流LED器件.