高功率微波下GaAs PIN限幅器的损伤机理分析

• 作者: 席善斌 高金环 黄杰
• 来源期刊: 环境技术
• 学科: 工学
• 关键词: 限幅器 PIN界面 高功率微波 损伤形貌 失效机理
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 环境试验
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.4
• 字数: 737字
• 语种: 中文

摘要

GaAs PIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件.本文对经受高功率微波后GaAs PIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAs PIN限幅器设计和工艺改进具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高金环	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	12	2.0	2.0
5	黄杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	16	17	2.0	4.0
9	席善斌	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	7	2.0	2.0