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摘要:
为了使复杂的纳米MOSFET毫米波噪声物理模型可用于工程设计,研究了其简洁模型的表达形式.通过器件的双端口相关噪声矩阵变换和分析,实现了复杂的噪声物理模型的简化.所提出的简洁模型不仅高精度地表征了器件的非准静态效应,并且可通过Verilog-A语言以四结点的形式,直接嵌入到ADS仿真设计工具,从而在保证精度的同时,大大降低了设计的复杂度.实验结果验证了所建模型在强反型区和弱反型区均比现有的三结点模型具有更高的准确性.
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文献信息
篇名 纳米MOSFET毫米波噪声的简洁模型
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 纳米MOSFET 毫米波 双端口网络 非准静态效应
年,卷(期) 2019,(8) 所属期刊栏目 微纳技术
研究方向 页码范围 61-65
页数 5页 分类号 TN386.1
字数 2715字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201931.190059
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王军 西南科技大学信息工程学院 47 152 6.0 9.0
2 刘人豪 西南科技大学信息工程学院 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
纳米MOSFET
毫米波
双端口网络
非准静态效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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7
总被引数(次)
61664
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