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摘要:
对用于改善电流换向混频器线性度的动态和静态电流注入技术进行了讨论,并且提出了一种高线性双平衡CMOS混频器.该混频器在中频级采用交叉耦合晶体管对将电流动态地注入进混频器中,以改善线性度,基于标准的0.13μm CMOS工艺对所提出的混频器进行流片并在片测试.该混频器的射频3 dB带宽为5.5 GHz,覆盖了1 GHz~6.5 GHz,混频器取得了7.3 dB~11.4 dB的转换增益.在射频频率为2.5 GHz,中频频率为150 MHz,本振信号功率4 dBm时,取得了8.8 dBm的输入三阶截止点.芯片所占面积为0.57 mm2,不包括连接片,并且电路在1.2 V电源供电下消耗了4.1 mW的功耗.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 基于动态电流注入技术的高线性混频器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 CMOS有源混频器 交叉耦合电流注入 电流换向混频器 动态电流注入 高线性,射频集成电路
年,卷(期) 2019,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1358-1361,1366
页数 5页 分类号 TN432
字数 2965字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.06.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许明坤 巢湖学院电子工程学院 20 20 2.0 3.0
2 任玲芝 巢湖学院电子工程学院 29 38 4.0 4.0
3 余建立 巢湖学院电子工程学院 22 47 5.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS有源混频器
交叉耦合电流注入
电流换向混频器
动态电流注入
高线性,射频集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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27643
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