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摘要:
运用第一性原理LDA+U方法(考虑了交换关联项的Hubbard U修正的局域密度近似方法)研究了过渡族金属X(X=Fe,Co,Ni)掺杂GaSb的电子结构和光学性质.研究结果表明:X掺杂均能提升GaSb半导体材料对红外光区光子的吸收幅度,并能有效提高GaSb材料的光催化性能;过渡金属X在GaSb材料中主要以X替代Ga缺陷(X@Ga)的形式存在,X的电荷布居和键布居表明,X的掺入容易引起体系的晶格畸变,由此产生的电偶极矩有利于光生电子-空穴对的分离,从而提高材料的光催化性能;X掺杂引入的杂质能级位于0点费米能级附近,因而掺杂体系复介电函数虚部在光子能量为0时就会有响应,同时掺杂体系的静介电常数也得到了很大的提升;X的掺杂对GaSb体系的光学性能都有很大的改善,但Ni掺入对改善GaSb材料的光催化特性最有利;最佳Ni原子的掺杂摩尔浓度为10.94%,均匀掺杂可以避免光生电子-空穴复合中心的形成,此时光学吸收范围和吸收峰值都达到最大,对材料的光催化性能最有利.
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第一性原理
光学性质
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Fe,Co,Ni掺杂GaSb的电子结构和光学性质
来源期刊 物理学报 学科
关键词 第一性原理 GaSb 电子结构 光学性质
年,卷(期) 2019,(18) 所属期刊栏目 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
研究方向 页码范围 117-125
页数 9页 分类号
字数 7150字 语种 中文
DOI 10.7498/aps.68.20190290
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 潘凤春 宁夏大学物理与电子电气工程学院 20 22 3.0 3.0
2 林雪玲 宁夏大学物理与电子电气工程学院 19 22 3.0 3.0
3 曹志杰 宁夏大学物理与电子电气工程学院 2 0 0.0 0.0
4 李小伏 宁夏大学物理与电子电气工程学院 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
第一性原理
GaSb
电子结构
光学性质
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导