GaAlAs半导体激光治疗牙本质过敏症的研究进展

• 作者: 陈曦 霍丽珺
• 来源期刊: 医学综述
• 学科: 医学
• 关键词: 牙本质过敏症 GaAlAs半导体激光 脱敏 牙本质小管
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 临床医学
• 页码范围: 2388-2392
• 页数: 5页
• 分类号: R781.2
• 字数: 4442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2084.2019.12.019

摘要

GaAlAs半导体激光是由铝(Al)、镓(Ga)、砷(As)等元素组成的低功率激光,特点是发射能量低、温度上升幅度小、刺激循环和细胞活性、安全性强、操作简便.牙本质过敏症是口腔临床的常见症状,发病机制尚未完全明确,临床常用脱敏手段疗效不佳.目前,GaAlAs半导体激光已广泛应用于口腔治疗,特别是波长为780～980 nm的GaAlAs半导体激光在牙本质过敏症治疗中的应用最为广泛.GaAlAs半导体激光主要通过介导与神经传导抑制有关的镇痛作用、光动力生物调控效应以及热效应发挥脱敏功效,不同参数的设定以及是否与脱敏剂联用均会影响脱敏效果,合理使用GaAlAs半导体激光有助于其发挥最大效能,并避免牙髓损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈曦	昆明医科大学附属口腔医院牙体牙髓病科	5	4	1.0	2.0
2	霍丽珺	昆明医科大学附属口腔医院牙体牙髓病科	9	6	1.0	2.0