可调陷波器芯片研制

• 作者: 李丰 李宏军 钱丽勋
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: 可调陷波器 相位匹配 变容二极管 Q值补偿
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 信息:技术与应用
• 页码范围: 88-89
• 页数: 2页
• 分类号: TN6
• 字数: 459字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种可调谐吸收型陷波器芯片.此陷波器利用相位匹配方式实现吸收陷波,采用MMIC工艺实现电路,具有抑制度高、体积小的优点,可调谐单元利用外置的可变电容实现,能够达到2-4G陷波频率连续可调的功能.芯片尺寸5×5×1mm,陷波点抑制可达30dB,通带可达18GHz,此方案为可调陷波器芯片的制作提供了新的思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宏军	中国电子科技集团公司第十三研究所	22	53	5.0	7.0
2	李丰	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	30	3.0	5.0
3	钱丽勋	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	3	1.0	1.0