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摘要:
本文研究了对ZnO薄膜的光致发光、晶体缺陷、晶粒尺寸和表面形貌的影响.采用PL测试表征材料的缺陷密度,用HR-XRD表征薄膜的结晶情况,用SEM表征ZnO薄膜材料的表面形貌.结果表明经3%浓度的H2O2处理10s的ZnO薄膜缺陷显著降低,结晶情况有所改善,晶粒尺寸增大.利用H2O2处理可以降低ZnO薄膜的缺陷态,提高了其在应用中的电学稳定性.
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文献信息
篇名 H2O2处理对于ZnO薄膜性能的影响
来源期刊 电脑知识与技术 学科 教育
关键词 射频磁控溅射 ZnO薄膜 H2O2处理
年,卷(期) 2019,(8) 所属期刊栏目 计算机工程应用技术
研究方向 页码范围 240-242
页数 3页 分类号 G642
字数 2163字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高晓红 吉林建筑大学电气与计算机学院 34 266 4.0 16.0
2 李博 吉林建筑大学电气与计算机学院 10 2 1.0 1.0
3 张文通 吉林建筑大学电气与计算机学院 5 0 0.0 0.0
4 王天宇 吉林建筑大学电气与计算机学院 4 0 0.0 0.0
5 金宝昌 吉林建筑大学电气与计算机学院 4 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
射频磁控溅射
ZnO薄膜
H2O2处理
研究起点
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引文网络交叉学科
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电脑知识与技术
旬刊
1009-3044
34-1205/TP
大16开
安徽省合肥市
26-188
1994
chi
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