IGBT转移特性的计算与仿真研究

• 作者: 范晓波
• 来源期刊: 中国设备工程
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 电力电子 MOSFET 转移特性 P阱 掺杂
• 年，卷（期）: 2019,（22）
• 所属期刊栏目: 探讨与创新
• 页码范围: 216-217
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 647字
• 语种: 中文

摘要

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,近年来发展迅猛,作为新一代的电力电子器件已经得到广泛应用.随着应用领域的不断拓展,对器件的性能也提出了更高的要求.作为具有表面MOSFET结构的器件,研究人员一直致力于优化其结构参数,以期获得更加优良的特性.本文通过ISE仿真软件,模拟了器件的表面MOS结构,对于器件的转移特性进行了仿真研究.结果表明,要想获得理想的转移特性,必须对表面MOS结构中P阱区的掺杂及栅氧化层的厚度进行优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范晓波		6	1	1.0	1.0