用于北斗接收机的低噪声放大器芯片设计

• 作者: 傅涛 刘英博 卓锦 孙堂友 孙玲玲 岳克强 张小文 张法碧 李海鸥 李玺 李琦 李跃 李陈成 肖功利 陈永和 高喜
• 来源期刊: 桂林电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 单片微波集成电路 砷化镓
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: TN43|TN722.3
• 字数: 2405字
• 语种: 中文

摘要

为了满足北斗接收机系统集成化,采用成都海威华芯公司0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款工作在北斗L1频段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).该LNA采用源级串连电感和栅漏端并联负反馈的两级级联电路结构,实现了低噪声高增益匹配,工作频带为1.5～1.6 GHz,漏极电压3.3V,工作电流为60 mA时,芯片测试结果显示功率增益大于21 dB,噪声系数小于2 dB,在工作频带内输入输出回波损耗优于10 dB,面积为1 mm×2 mm.仿真结果和测试结果有很好的一致性,可用于北斗接收机射频前端.