基于GaN器件的高速直流无刷电机驱动器

• 作者: 史炳伟 谢门喜
• 来源期刊: 电机与控制应用
• 学科: 工学
• 关键词: 直流无刷电机 高速电机 驱动器 宽禁带半导体 氯化锿
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 66-70
• 页数: 5页
• 分类号: TM355
• 字数: 1831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12177/emca.2019.126

摘要

传统直流无刷电机(BLDCM)驱动器以硅晶体管作为功率器件,工作频率低、开关损耗大,不适用于高速应用场合.宽禁带半导体氮化镓(GaN)晶体管,具有开关速度快、导通电阻小等优势,是高速驱动器的理想选择之一.基于GaN器件,设计了一款20 000 r/min转速的高速BLDCM驱动器.首先介绍了BLDCM驱动的工作原理,然后分析了GaN器件晶体管栅极驱动电阻值的计算过程,选取Si8273作为GaN晶体管GS61008P的驱动芯片,利用霍尔信号配合数字控制器软件得到换相脉冲,以完成高速驱动器的软硬件设计.验结果表明,GaN方案显著减小了驱动器体积,提高了响应速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢门喜	苏州大学智能结构与系统研究所	18	81	5.0	8.0
2	史炳伟	苏州大学电子信息学院	2	3	1.0	1.0