稀土元素(La,Y)掺杂GaN的第一性原理计算

• 作者: 张晋敏 王坤 王立 肖清泉 贺腾
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 453-459
• 页数: 7页
• 分类号: O734
• 字数: 4168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2020.03.024

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La和Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体.可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La,Y掺杂可有效调制GaN的光电性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晋敏	贵州大学大数据与信息工程学院	47	261	7.0	15.0
2	肖清泉	贵州大学大数据与信息工程学院	40	199	7.0	13.0
3	王立	贵州大学大数据与信息工程学院	9	6	2.0	2.0
4	王坤	贵州大学大数据与信息工程学院	16	71	4.0	8.0
5	贺腾	贵州大学大数据与信息工程学院	4	0	0.0	0.0