初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真

• 作者: 关宇昕 关小军 王善文
• 来源期刊: 徐州工程学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 仿真 硅晶圆 V-O2对 初始空位浓度
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 教授论坛
• 页码范围: 6-11
• 页数: 6页
• 分类号: TG111
• 字数: 2952字
• 语种: 中文

摘要

为了揭示初始空位浓度对低温退火的硅晶圆内V-O2对演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对随机均匀分布的3个初始空位浓度条件下硅晶圆内V-O2对演变进行了模拟研究.结果表明:随着初始空位浓度平均值的减小,V-O2对数量相应减少且变化速率减慢,这与相应的空位浓度演变及其均匀化过程有关;初始空位浓度平均值过低时,V-O2对不能产生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关小军	山东大学材料科学与工程学院	86	700	13.0	22.0
2	王善文	山东大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0