硅单晶圆片中V-O2对演变的相场仿真模型

• 作者: 关宇昕 关小军 王善文
• 来源期刊: 徐州工程学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 仿真 硅单晶圆片 V-O2对 建模 相场理论
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 教授论坛
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TG111
• 字数: 4637字
• 语种: 中文

摘要

为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡态;这两个演变规律符合实际且产生机理清晰,证实了该模型的合理性及其使用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关小军	山东大学材料科学与工程学院	86	700	13.0	22.0
2	王善文	山东大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0