平均空位径向扩散通量对直拉硅单晶空洞演化影响的相场模拟

• 作者: 关小军 张向宇 张怀金 曾庆凯 潘忠奔 王进
• 来源期刊: 徐州工程学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶硅 直拉法 空洞 空位径向扩散通量 相场模拟
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2763字
• 语种: 中文

摘要

直拉硅单晶中空洞的大小和数目对其性能有着至关重要的影响.采用已有的与晶体生长温度场有限元模型相耦合的空洞演化相场模型及其应用程序,模拟研究了不同的平均径向扩散通量对直拉单晶硅生长过程中空洞形貌及其分布状态演化的影响规律.结果表明:平均空位径向扩散通量的变化对于空洞演变阶段性及其形貌特征影响不大;随着平均空位径向扩散通量的增加,空洞的孕育阶段缩短,形核长大阶段延长,空洞平均尺寸及分数增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关小军	山东大学材料科学与工程学院	86	700	13.0	22.0
2	张怀金	山东大学晶体研究所	83	477	12.0	17.0
3	王进	山东大学材料科学与工程学院	44	175	7.0	11.0
4	张向宇	山东大学材料科学与工程学院	6	35	3.0	5.0
5	曾庆凯	山东大学材料科学与工程学院	9	109	6.0	9.0
6	潘忠奔	山东大学晶体研究所	7	64	5.0	7.0