快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响

• 作者: 崔灿 杨德仁 马向阳 马强
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅单晶 氧沉淀 快速热处理工艺 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 691-693,699
• 页数: 4页
• 分类号: TB301.2
• 字数: 3009字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.015

摘要

本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	马强	浙江大学硅材料国家重点实验室	9	86	4.0	9.0
4	崔灿	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	136	4.0	7.0