快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

• 作者: 刘彩池 孙世龙 滕晓云 王立建 石义情 赵丽伟 赵彦桥 郝秋艳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 重掺As硅片 快速热处理 氧沉淀 清洁区
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.041

摘要

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
3	赵丽伟	河北工业大学信息功能材料研究所	7	21	2.0	4.0
4	滕晓云	河北工业大学信息功能材料研究所	8	37	3.0	6.0
5	王立建	河北工业大学信息功能材料研究所	2	15	1.0	2.0
6	孙世龙	河北工业大学信息功能材料研究所	4	2	1.0	1.0
7	赵彦桥	河北工业大学信息功能材料研究所	4	3	1.0	1.0