锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响

• 作者: 李立本 杨德仁 江慧华 田达晰 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 重掺硼直拉硅 锗 氧沉淀
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2107-2110
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.012

摘要

通过单步长时间退火(650～1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h+1000℃/16h和800℃/4～128h+1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0
5	江慧华	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	田达晰	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	31	3.0	5.0